10 月 30 日，长鑫科技在第三季度业绩交流会上披露，公司第五代工艺技术平台已实现量产，目前主要为 245Ball 与 496Ball 封装的 LPDDR5X 产品，每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少 50%；LPDDR6 产品同步实现量产。在 4F² 垂直沟道 DRAM 架构取得关键突破的基础上，第六代工艺技术平台已完成工程样片验证。公司称，4F² 架构采用逻辑晶圆与存储晶圆键合堆叠，可显著缩小存储单元面积、提升单位面积密度，自研 VSG 垂直环绕栅极晶体管也为后续节点微缩留出空间。公司预计今年年底将采用该架构的首代 DDR5 RDIMM 送样，优先用于服务器等高密度场景，规模量产视客户验证进度推进。

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